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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2020-03-03
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN112310107B
主分类号：H10B43/35
分类号：H10B43/35;H10B43/20
优先权：["20190724 KR 10-2019-0089880"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.02.02#公开
摘要：半导体装置以及制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包括：多个第一接触结构；多个插塞形第二接触结构，其被配置为分别连接到所述多个第一接触结构中的第一数量的第一接触结构；狭缝形第二接触结构，其被配置为连接到在第一方向上相邻的所述多个第一接触结构中的第二数量的第一接触结构；以及第三接触结构，其被配置为连接到在第一方向上相邻的插塞形第二接触结构的侧壁。
主权项：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：基板；形成在所述基板上的晶体管；多个第一接触结构；多个插塞形第二接触结构，多个所述插塞形第二接触结构被配置为分别连接到所述多个第一接触结构中的第一数量的第一接触结构；狭缝形第二接触结构，该狭缝形第二接触结构被配置为连接到在第一方向上相邻的所述多个第一接触结构中的第二数量的第一接触结构；以及第三接触结构，该第三接触结构被配置为连接到在所述第一方向上相邻的多个所述插塞形第二接触结构的侧壁，其中，所述多个第一接触结构连接到所述晶体管，并且其中，所述晶体管包括源极区域和漏极区域，所述源极区域通过所述多个第一接触结构中的所述第二数量的第一接触结构之一连接到所述狭缝形第二接触结构，并且所述漏极区域通过所述多个第一接触结构中的所述第一数量的第一接触结构之一和多个所述插塞形第二接触结构之一连接到所述第三接触结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置以及制造半导体装置的方法
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