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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2020-05-18
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN112820719B
主分类号：H01L23/552
分类号：H01L23/552;H10B41/30;H10B41/20;H10B43/20;H10B43/30;H10B63/00
优先权：["20191115 KR 10-2019-0146502"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.06.04#实质审查的生效;2021.05.18#公开
摘要：半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：单元阵列，其包括源极结构；外围电路；互连结构，其位于单元阵列和外围电路之间并且电联接到外围电路；以及去耦结构，其被配置为防止单元阵列与互连结构之间出现的耦合电容器。
主权项：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：单元阵列，该单元阵列包括源极结构；外围电路；互连结构，该互连结构位于所述单元阵列和所述外围电路之间并且电联接到所述外围电路；以及去耦结构，该去耦结构位于所述单元阵列和所述互连结构之间并且具有电浮置状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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