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申请/专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日：2020-07-28
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN112306137B
主分类号：G05F1/567
分类号：G05F1/567;H03F1/30
优先权：["20190731 US 16/528,536"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2022.08.12#实质审查的生效;2021.02.02#公开
摘要：公开了一种温度补偿电路和一种温度补偿式放大器电路的实施例。在一实施例中，一种温度补偿电路包括具有串联连接的晶体管装置的偏置基准电路和连接到所述偏置基准电路的驱动晶体管装置。所述串联连接的晶体管装置中的至少一个包括连接在所述串联连接的晶体管装置中的所述至少一个的两个端之间的电阻器。所述驱动晶体管装置被配置成基于所述电阻器的电阻值生成驱动电流。
主权项：1.一种温度补偿电路，其特征在于，包括：偏置基准电路，其中所述偏置基准电路包括两个串联连接的晶体管装置，所述串联连接的晶体管装置包括多个双极结型晶体管BJT，其中对于所述串联连接的晶体管装置中的每一个，电阻器连接在所述BJT的基极端和所述BJT的集电极端之间，并且其中所述偏置基准电路进一步包括控制器，所述控制器被配置成基于操作温度控制所述电阻器中一个或多个的电阻值，并且其中所述BJT串联连接在温度偏置电流源和固定电压之间，其中所述两个串联连接的晶体管装置的第一晶体管装置的BJT的集电极端耦合到所述温度偏置电流源，所述第一晶体管装置的BJT的发射极端耦合到所述两个串联连接的晶体管装置的第二晶体管装置的BJT的集电极端，所述第二晶体管装置的BJT的发射极端耦合到所述固定电压，其中所述温度补偿电路进一步包括连接到所述偏置基准电路并被配置成基于所述电阻器的电阻值生成放大器的驱动电流的驱动晶体管装置，其中所述驱动晶体管装置包括耦合到所述第一晶体管装置的BJT的所述集电极端的基极端、耦合到基准电压Vcc的集电极端和耦合到包括于放大器中的晶体管的基极端的发射极端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦美国有限公司 温度补偿电路和温度补偿式放大器电路
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