龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2023-11-23
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197375A
主分类号：G11C11/4091
分类号：G11C11/4091;H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238;G11C7/06
优先权：["20221214 US 63/432,618","20231003 US 18/480,130"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本公开涉及用于finFET感测放大器的装置及方法。描述用于制造存储器装置的感测放大器SA中的具有各种鳍片宽度的各种装置的系统及方法。所述SA中的所述各种装置对各种参数敏感，所述参数对对应finFET的所述鳍片宽度敏感。制造所述SA中的所述各种装置中的各种鳍片宽度可改进所述存储器装置的性能。例如，将较厚鳍片较大鳍片宽度用于所述SA中的NMOS感测放大器及PMOS感测放大器会减少阈值电压变化，而将较薄鳍片较小鳍片宽度用于所述SA中的控制装置会保持所述控制装置的高性能。
主权项：1.一种装置，其包括：第一组件，其包括第一鳍片场效应晶体管finFET，其中所述第一finFET包括具有第一宽度的第一鳍片；及第二组件，其包括第二finFET，其中所述第二finFET包括具有第二宽度的第二鳍片，其中所述第一宽度大于所述第二宽度，且其中所述第一组件经配置以检测两个信号之间的电压差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 用于FINFET感测放大器的装置及方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号