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申请/专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
申请日：2024-03-15
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198039A
主分类号：H01L23/552
分类号：H01L23/552;H01L23/04
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本申请的实施例提供了一种抑制功率放大器芯片自激的封装结构，涉及毫米波芯片技术领域，所述封装结构包括：功率放大器芯片和金属封装壳体；所述金属封装壳体设置有抑制自激腔体，所述功率放大器芯片放置在所述抑制自激腔体中；其中，所述抑制自激腔体的内表面设置有凹凸不平的凹凸层。本申请提供的技术方案可降低功率放大器芯片封装过程中的自激风险，具有结构简单、实用性强等优点，在毫米波频段具有广泛的应用价值。
主权项：1.一种抑制功率放大器芯片自激的封装结构，其特征在于，包括：功率放大器芯片和金属封装壳体；所述金属封装壳体设置有抑制自激腔体，所述功率放大器芯片放置在所述抑制自激腔体中；其中，所述抑制自激腔体的内表面设置有凹凸不平的凹凸层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都雷电微力科技股份有限公司 一种抑制功率放大器芯片自激的封装结构
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