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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日：2024-05-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118232854A
主分类号：H03F1/42
分类号：H03F1/42;H03F3/21;H03F3/19;H03F1/56
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请提供一种多级射频功率放大器，包括：多级的BJT，各个BJT中至少有BJT为第一SiC‑BJT；BJT之间设置级间匹配电路，第一SiC‑BJT和前一级BJT之间的级间匹配电路为第一级间匹配电路；第一级间匹配电路包括：从前一级BJT的集电极到第一SiC‑BJT的基极方向，顺序连接的串联电感L11和串联电容C11，第二并联电感L22，第二并联电感L22的一端与第一SiC‑BJT的基极连接，另一端连接偏置电压Bias；第一并联电感L21，第一并联电感L21的一端连接在串联电感L11和串联电容C11的连接处，另一端连接电源电压Vcc。本申请实施例解决了传统的多级射频功率放大器的带宽不足技术问题。
主权项：1.一种多级射频功率放大器，其特征在于，包括：多级的BJT，各个BJT中至少有一个BJT为第一SiC-BJT；任意相邻的BJT之间设置级间匹配电路，第一SiC-BJT和前一级BJT之间的级间匹配电路为第一级间匹配电路；所述第一级间匹配电路包括：从前一级BJT的集电极到第一SiC-BJT的基极方向，顺序连接的串联电感L11和串联电容C11，第二并联电感L22，所述第二并联电感L22的一端与所述第一SiC-BJT的基极连接，另一端连接偏置电压Bias；第一并联电感L21，所述第一并联电感L21的一端连接在所述串联电感L11和串联电容C11的连接处，另一端连接电源电压Vcc。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 一种多级射频功率放大器
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