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申请/专利权人：江苏昕感科技有限责任公司
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN117497404B
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L29/45;H01L21/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开
摘要：本发明涉及一种SiC器件欧姆接触的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括：提供N型SiC衬底；对N型SiC衬底上需要形成的欧姆接触区域进行轰击处理；对经过轰击处理的N型SiC衬底表面沉积一层NiSi合金薄膜作为过渡层；在NiSi合金薄膜上方沉积Ni金属层；对N型SiC衬底进行退火处理，使Ni金属层、NiSi合金薄膜以及N型SiC衬底融合在N型SiC衬底和Ni金属层之间形成欧姆接触。本申请提供的方法增加了N型SiC衬底表面的C空位及缺陷态，有利于退火后在N型SiC衬底表面形成更多的C空位，同时因为过渡层提供的富Si层减少C析出，避免在NiSi合金薄膜与N型SiC衬底直接的界面或Ni金属层形成C簇，避免降低后续加厚金属与Ni金属层的粘附力，而降低器件的可靠性。
主权项：1.一种SiC器件欧姆接触的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供N型SiC衬底（1）；对N型SiC衬底（1）上需要形成的欧姆接触区域进行轰击处理；对经过轰击处理的N型SiC衬底（1）表面沉积一层NiSi合金薄膜（2）作为过渡层；在所述NiSi合金薄膜（2）上方沉积Ni金属层（3）；对所述N型SiC衬底（1）进行退火处理，使Ni金属层（3）、NiSi合金薄膜（2）以及N型SiC衬底（1）融合在N型SiC衬底（1）和Ni金属层（3）之间形成欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏昕感科技有限责任公司 一种SiC器件欧姆接触的制备方法
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