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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2020-07-27
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN111785781B
主分类号：H01L29/735
分类号：H01L29/735;H01L29/06;H01L21/331
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.30#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开
摘要：本发明提供一种BJT器件结构及其制作方法，P阱、将P阱隔离为发射区下方的P阱和基区的P阱；发射区下方的P阱上设有第一N+区；基区的P阱上设有P+区；第一N+区上表面设有环绕第一N+区边缘的SAB环形层，该SAB环形层向外延伸至第一STI区上表面；第一N+区上表面、SAB环形层内设有至少一个SAB块型结构；环绕基区的集电区，集电区与所述基区之间设有将基区和集电区相互隔离的第二STI区；集电区由位于衬底上的N阱和位于所述N阱上的第二N+区构成。本发明通过发射极区域增加SAB区域，电流的集边效应会使部分发射极电流聚集在SAB区域硅表面处，中和部分基区电流，降低基区复合电流，达到增加双极型晶体管电流增益的效果。
主权项：1.一种BJT器件结构，其特征在于，至少包括：P型衬底、位于所述P型衬底上的P阱和第一STI区，所述第一STI区将所述P阱隔离为中心区域和环绕所述中心区域的外围区域；其中所述外围区域作为所述BJT器件的基区的P阱；所述中心区域的P阱上设有第一N+区作为发射区；所述外围区域的P阱上设有P+区，所述外围区域的P阱与所述P+区共同构成基区；所述第一N+区的上表面设有环绕所述第一N+区边缘的SAB环形层，并且该SAB环形层向外延伸至所述第一STI区上表面；所述第一N+区上表面、所述SAB环形层内设有至少一个SAB块型结构；当所述SAB块型结构的个数为一个时，其位置处于所述SAB环形层内部的中央位置的第一N+区上；当所述SAB块型结构的个数为多个时，该多个所述SAB块型结构均匀分布在所述SAB环形层内部的所述第一N+区上；环绕所述基区的集电区，所述集电区与所述基区之间设有将所述基区和集电区相互隔离的第二STI区；所述集电区由位于所述衬底上的N型深阱、N阱和位于所述N阱上的第二N+区构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种BJT器件结构及其制作方法
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