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【发明授权】绝缘层浆料制备材料、绝缘层制备方法及气体传感器_深圳顺络电子股份有限公司_202111613174.1 

申请/专利权人:深圳顺络电子股份有限公司

申请日:2021-12-27

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN114400106B

主分类号:H01B3/10

分类号:H01B3/10;H01B3/12;H01B19/00;G01N27/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.07#授权;2022.05.13#实质审查的生效;2022.04.26#公开

摘要:一种绝缘层浆料制备材料,按照质量百分比计,包括以下组分:α‑氧化铝粉体25%~71%;无机添加剂5%~20%;有机溶剂20.5%~40%;有机载体2.5%~10%;有机助剂1%~5%;其中,所述无机添加剂包括镁铝尖晶石、高岭土、滑石、二氧化硅、氧化镁、碳酸钙中的至少一种;所述有机溶剂包括高沸点溶剂、低沸点溶剂中的至少一种,所述高沸点溶剂的沸点在150℃以上,所述低沸点溶剂的沸点在110℃以下。由该绝缘层浆料制备的绝缘层浆料烧结致密性好;利用高沸点溶剂不易挥发的特点,能让绝缘层浆料在存储、印刷过程保持固含量稳定,使绝缘层浆料的流动性稳定,有利于提高绝缘层浆料的印刷稳定性;而低沸点溶剂的添加则可增加绝缘层浆料各组分的溶解性和均匀性。

主权项:1.一种绝缘层浆料制备材料,其特征在于,按照质量百分比计,包括以下组分: 其中,所述无机添加剂至少包括镁铝尖晶石、高岭土、滑石,其中质量比为镁铝尖晶石:高岭土:滑石=1:1:2、或镁铝尖晶石:高岭土:滑石=1:1:3、或镁铝尖晶石:高岭土:滑石:二氧化硅:氧化镁:碳酸钙=1:1:2:0.5:0.5:0.5;所述有机溶剂包括高沸点溶剂、低沸点溶剂中的至少一种,所述高沸点溶剂的沸点在150℃以上,所述低沸点溶剂的沸点在110℃以下;所述有机载体包括乙烯基类、纤维素类、丙烯酸树脂类中的至少一种。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳顺络电子股份有限公司 绝缘层浆料制备材料、绝缘层制备方法及气体传感器

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