申请/专利权人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司

申请日：2022-12-29

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN116001113B

主分类号：B28D5/02

分类号：B28D5/02;B28D7/04;B28D7/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2023.05.12#实质审查的生效;2023.04.25#公开

摘要：本发明涉及一种硅环表面打孔方法，采用第一钻头对硅环的打孔位置加工预设深度及宽度的凹坑，完成全部的凹坑加工后，利用第二钻头在每一个凹坑上进行打孔，并在第二钻头打孔的过程中间歇性打孔，即每次完成预设的打孔深度后将第二钻头抬起进行冷却和冲洗后再次进行打孔，直至打穿该位置后接着对下一个凹坑进行打孔加工，由于第一钻头的直径略宽于第二钻头，所以加工的凹坑的宽度大于第二钻头的直径，以使第二钻头便于进入凹坑再次加工后能够起到定位的目的，同时也便于第二钻头在加工过程中将加工所产生的碎屑和硅泥从上述凹坑排出，防止第二钻头加工过程中出现撞刀的现象，再确保硅环正常加工的同时，延长第二钻头的使用寿命，进而节约加工成本。

主权项：1.一种硅环表面打孔方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将待加工硅环固定在加工中心的固定台上；步骤二、采用手动打表法将硅环找圆；步骤三、第一钻头安装在主轴上，加工中心控制主轴移动至硅环上方，且正对硅环的打孔位置，打孔位置作为初始位置；步骤四、加工中心控制安装了第一钻头的主轴在硅环的打孔位置加工出对应的凹坑，其中凹坑的作用是使第二钻头定位在凹坑中并完成打孔，第一钻头的转速为10000转分钟，凹坑的钻销深度为0.35mm，使硅环表面形成一个凹坑，第一钻头完成一个凹坑后抬升，固定台在加工中心的控制下移动，使下一个凹坑的位置处于第一钻头的正下方，第一钻头再次下降对硅环进行加工下一个凹坑，每个凹坑的加工时长为0.4分钟，在对每个凹坑进行打孔时均采用冷却液进行冲洗孔里的碎屑，同时对第一钻头进行冷却，第一钻头完成所有的凹坑后由加工中心控制机械臂将第一钻头拆卸后移动至刀库；其中，第一钻头的直径大于第二钻头的直径；步骤五、加工完成所有的凹坑后，加工中心将第二钻头从刀库中取出并安装在主轴上，固定台在加工中心的控制下移动，以使硅环的初始位置移动至第二钻头正下方，此时初始位置所对应的凹坑位于第二钻头的正下方，主轴控制第二钻头对下方的凹坑进行第二次打孔，第二钻头的转速为11000转分钟，每次打孔深度0.1-0.5mm，每次打孔后均需要将第二钻头抬起后用冷却液进行冲洗降温，直到将第一个凹坑打穿后抬起第二钻头，固定台再次在加工中心的控制下移动使下一个凹坑位于第二钻头的正下方，第二钻头接着在加工中心的控制下继续进行打孔直至完成所有的打孔；上述第一钻头的直径为1.25mm，钻头的有效长度为2.5mm；上述第二钻头的直径为0.65mm，钻头的有效长度为9-15mm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司 硅环表面打孔方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD