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申请/专利权人：施米德硅晶片科技有限责任公司
申请日：2020-07-02
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN114026043B
主分类号：C01B33/027
分类号：C01B33/027;C01B33/029;B01J19/00;H05H1/26
优先权：["20190704 DE 102019209898.3"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2022.02.25#实质审查的生效;2022.02.08#公开
摘要：本发明涉及形成液态硅的装置，其包括用于将气体转化为高度加热的状态的设备，在该状态下所述气体至少部分以等离子体的形式存在。所述高度加热的气体引入反应空间100，在那里其与气态或颗粒状的含硅原料接触。该含硅原料通过具有直接通入反应空间100的喷嘴通道103的喷嘴102供应到反应空间100中。同时，将惰性气体引入反应空间100，以使得其保护喷嘴通道103的通入孔口103a免受源于高度加热的气体的热负荷。
主权项：1.形成液态硅的装置，其具有下列特征a.所述装置包括设备，借助所述设备使得气体转化为高度加热的状态，在该状态下其至少部分以等离子体的形式存在，和b.所述装置包括反应空间100和通入其中的进料管线101，所述进料管线用于使高度加热的气体进入反应空间100，和c.所述装置包括具有喷嘴通道103的喷嘴102，所述喷嘴通道直接通入反应空间100并通过所述喷嘴通道将气态或颗粒状的含硅原料供应到反应空间100中，以及具有下列附加的特性特征d.所述装置包括设备，所述设备使得能够将惰性气体引入反应空间100，以使得所述惰性气体保护喷嘴通道103的通入孔口103a免受源于高度加热的气体的热负荷，和具有下列附加特征：a.所述喷嘴102是多料喷嘴，其具有用于供应含硅原料的喷嘴通道103作为第一喷嘴通道103，b.所述多料喷嘴102包括第二喷嘴通道104作为用于引入惰性气体的设备，所述第二喷嘴通道直接通入反应空间100，c.所述第二喷嘴通道104在通入孔口104a中通入，所述通入孔口围绕第一喷嘴通道103的通入孔口103a。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 施米德硅晶片科技有限责任公司 形成液态硅的装置和方法
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