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申请/专利权人：朗姆研究公司
申请日：2022-10-21
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118176321A
主分类号：C23C16/509
分类号：C23C16/509;C23C16/458;C23C16/26;H01J37/32;H01L21/02;H10B41/27;H10B43/27
优先权：["20211103 US 63/263,493"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：一示例提供一种制造工具，其包括室；基座电极和喷头电极，其设置在该室中；一或更多个气体入口，其进入该室；真空泵系统；射频RF功率源，其被配置成在该基座电极与该喷头电极之间形成RF等离子体；以及控制器，其包括处理器和存储器。该存储器包括该处理器能够执行的多个指令，以：操作该流量控制硬件，从而将含氢还原剂和碳氢化合物气体引进该室；以及操作该RF功率源，从而在该基座电极与该喷头电极之间形成等离子体，以在单一等离子体沉积循环中且无中间碳移除处理的情况下在位于该室的基座上的工件的凹部中完整沉积碳栓塞。
主权项：1.一种制造工具，其包括：室；基座电极和喷头电极，其被设置在所述室中；进入所述室的一或更多气体入口以及相关联的流量控制硬件；真空泵系统，其被配置成降低所述室内的压强；射频RF功率源，其被配置成在所述基座电极与所述喷头电极之间形成RF等离子体；以及控制器，其与所述流量控制硬件及所述RF功率源能操作地耦合，所述控制器包括处理器和存储器，所述存储器包括指令，所述指令能由所述处理器执行以：操作所述流量控制硬件，从而将含氢还原剂引进所述室，操作所述流量控制硬件，从而将碳氢化合物气体引进所述室，以及操作所述RF功率源，从而在所述基座电极与所述喷头电极之间形成等离子体，以在单一等离子体沉积循环中且无中间碳移除处理的情况下在位于所述室的基座上的工件的凹部中完整沉积碳栓塞。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 用于形成碳栓塞的系统和方法
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