龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：信越半导体株式会社
申请日：2022-10-11
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118176571A
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;H01L21/304
优先权：["20211115 JP 2021-185360"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明是一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，包含：在残存有加工变质层的裸硅晶圆面内的多个部位，使用拉曼分光显微镜获得硅的一次拉曼峰位置；根据在所述多个部位获得的所述硅的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方图；根据所述直方图算出平均值A和标准偏差S；以及根据所述平均值A及所述标准偏差S估计残存于所述硅晶圆的加工变质层的最大深度D。由此，提供能够正确地估计残存有加工变质层的裸硅晶圆中的加工变质层的最大深度的硅晶圆的评价方法。
主权项：1.一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，包含：在残存有加工变质层的裸硅晶圆面内的多个部位，使用拉曼分光显微镜获得硅的一次拉曼峰位置；根据在所述多个部位获得的所述硅的一次拉曼峰位置生成峰偏移的直方图；根据所述直方图算出平均值A和标准偏差S；以及根据所述平均值A及所述标准偏差S估计残存于所述硅晶圆的加工变质层的最大深度D。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越半导体株式会社 硅晶圆的评价方法及硅晶圆的加工变质层去除方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号