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申请/专利权人：聚灿光电科技(宿迁)有限公司
申请日：2024-05-14
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173677A
主分类号：H01L33/10
分类号：H01L33/10;H01L33/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明涉及发光二极管技术领域，公开红光垂直结构发光二极管的芯片结构及其制备方法，该红光垂直结构发光二极管的芯片结构包括Si衬底、外延结构和电极结构；Si衬底上形成有金属层，外延结构包括依次堆叠在金属层上的N型欧姆接触层、DBR反射层、多量子阱层和P型GaP层；电极结构包括P电极和N电极，P电极形成于P型GaP层的表面，N电极形成于Si衬底的表面。本公开的红光垂直结构发光二极管的芯片结构，通过在外延结构中形成DBR反射层，相较于相关技术中采用的ODR反射层，制备工艺相对简单，且反射率优于现有结构的ODR反射层的反射率，满足当前红光发光二极管越来越高的高亮度需求。
主权项：1.一种红光垂直结构发光二极管的芯片结构，其特征在于，包括Si衬底（011）、外延结构和电极结构；所述Si衬底（011）上形成有金属层（010），所述外延结构包括依次堆叠在所述金属层（010）上的N型欧姆接触层（004）、DBR反射层（005）、多量子阱层（006）和P型GaP层（007）；所述电极结构包括P电极（012）和N电极（013），所述P电极（012）形成于所述P型GaP层（007）的表面，所述N电极（013）形成于所述Si衬底（011）的表面；所述DBR反射层（005）包括GaAsAlGaAs叠层，且所述DBR反射层（005）的反射率＞95%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 红光垂直结构发光二极管的芯片结构及其制备方法
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