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申请/专利权人：深南电路股份有限公司
申请日：2024-02-20
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173455A
主分类号：H01L21/50
分类号：H01L21/50;H01L21/768;H01L23/538;H01L23/31
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明属于封装基板制作技术领域，特别是涉及一种功率芯片埋入式的封装基板及封装方法。一种功率芯片埋入式的封装基板的封装方法包括如下步骤：获取第一芯板，在第一芯板上开设沿厚度方向贯穿的通槽；将裸芯片固定在刚性衬底上；将裸芯片和刚性衬底整体嵌入到第一芯板的通槽中；在第一芯板上压合绝缘层，绝缘层覆盖通槽内的裸芯片；在绝缘层上形成第一外连金属层；从第一外连金属层的表面加工多个盲孔，盲孔实现裸芯片和刚性衬底与所述第一外连金属层三维垂直互联，使得裸芯片直接通过盲孔扇出信号，减小信号传输路径，降低传输损耗。裸芯片封装在第一芯板内，为第一芯板表面释放空间，能够贴装更多电子元器件，减小封装体的占用空间。
主权项：1.一种功率芯片埋入式的封装基板的封装方法，其特征在于，包括如下步骤:获取第一芯板3，在第一芯板3上开设沿厚度方向贯穿的通槽；将裸芯片1固定在刚性衬底2上；将所述裸芯片1和刚性衬底2整体嵌入到所述第一芯板3的通槽中；在所述第一芯板3上压合绝缘层4，所述绝缘层4覆盖所述通槽中的裸芯片1；在所述绝缘层4上形成第一外连金属层5；从所述第一外连金属层5的表面加工多个盲孔16，所述盲孔16实现所述裸芯片1和刚性衬底2与所述第一外连金属层5三维垂直互联。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深南电路股份有限公司 一种功率芯片埋入式的封装基板及封装方法
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