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申请/专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
摘要：本发明公开了一种形成半导体结构的方法及半导体结构，此方法包含提供半导体基板，以及使用原子层气相沉积设备，在半导体基板上形成钝化层，且此半导体结构包含半导体基板、钝化层、背电场层以及电极层。背电场层设置于钝化层上。背电场层与半导体基板分别位于钝化层的相对两侧。电极层设置于背电场层上。电极层与该钝化层分别位于该背电场层的相对两侧。本发明可在低温的环境下形成薄厚度、高均匀度及低介面缺陷密度的钝化层，故可降低热预算，以避免可能对半导体基板的伤害，且可提升钝化层的形成品质，例如提升钝化层的披覆效果。
主权项：1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含下列步骤：a将半导体基板置入等离子体辅助原子层沉积设备的反应腔体，且所述等离子体辅助原子层气相沉积设备将所述半导体基板加热至摄氏150度至摄氏250度；b通入前驱物至所述反应腔体，并使所述前驱物吸附在所述半导体基板的一侧，其中所述前驱物包含含硅化合物及氢气，所述氢气与所述含硅化合物的气体流量比值为15至20；c在所述半导体基板的所述侧完全吸附所述前驱物后，将剩余的前驱物及产物排出；d通入反应物至所述反应腔体，并使所述反应物与吸附在所述半导体基板上的前驱物反应而形成单一分子层，且将剩余的反应物及产物排出；以及e重复上述步骤b至步骤d一或多次，以在所述半导体基板上形成由多个单一分子层构成的钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 财团法人金属工业研究发展中心 形成半导体结构的方法及半导体结构
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