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申请/专利权人：深圳先进技术研究院
申请日：2024-03-08
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198184A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/032;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本申请提供的CIGS吸收层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法，通过电离惰性气体产生高能等离子体，轰击CIGS靶材，在预先制备好的衬底上制备CIGS薄膜，通过在含硒气氛中进行后退火，可以生产成分均匀、表面光滑的CIGS吸收层，之后改用掺入KF的CIGS:KF靶材进行溅射，以达到碱金属掺杂处理的效果。经过磁控溅射法制备的CIGS薄膜成分均匀、表面光滑。同时，碱金属的掺入进一步提高了CIGS电池的开路电压和填充因子，有效地提高了电池的性能参数，更大程度的提升电池的光电转化效率。
主权项：1.一种CIGS吸收层的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：将沉积有Mo背电极的衬底置于高真空腔体内，并将所述高真空腔体加热至180-200℃，保温30-60分钟；在所述高真空腔体内通过电离惰性气体产生高能等离子体并轰击CIGS靶材使所述CIGS靶材发生溅射并在所述衬底的表面沉积CIGS薄膜；将所述高真空腔体冷却至80-100℃，将所述CIGS靶材更换为CIGS：KF靶材，在所述高真空腔体内通过电离惰性气体产生高能等离子体并轰击所述CIGS：KF靶材使所述CIGS：KF靶材发生溅射并在所述CIGS薄膜的表面沉积CIGS：KF薄膜；所述CIGS：KF靶材溅射结束后，将所述高真空腔体温度升温至280-300℃，在真空条件下进行退火，使碱金属元素扩散到所述CIGS：KF薄膜表面形成K-In-Se层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳先进技术研究院 CIGS吸收层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法
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