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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118191998A
主分类号：G02B6/12
分类号：G02B6/12;G02B6/124;G02B6/136
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明提供一种光栅耦合结构，包括SOI衬底，其包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；在顶层硅层上形成有第一硬掩膜层，第一硬掩膜层及其下方的刻蚀停止层、顶层硅层上形成有第一岛结构，第一岛结构之间的第一开口图形以定义出不同大小的光波导窗口；第一岛结构上形成有多种脊型波导结构，脊型波导结构的剖面形状为倒T型，脊型波导结构具有不同的刻蚀深度以及不同宽度的凸起部分，各脊型波导结构中凸起部分到其两侧的距离均为预设值；在位于第一岛结构侧方SOI衬底上的第一硬掩膜层、及其下方的顶层硅层上形成有光栅耦合器；覆盖各脊型波导结构的第二硬掩膜层。本发明采用逐渐减少光栅的长度，达到减少折射率的损耗的目的。
主权项：1.一种光栅耦合结构，其特征在于，至少包括：SOI衬底，其包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；在所述顶层硅层上形成有第一硬掩膜层，所述第一硬掩膜层及其下方的所述刻蚀停止层、所述顶层硅层上形成有第一岛结构，所述第一岛结构之间的第一开口图形以定义出不同大小的光波导窗口；所述第一岛结构上形成有多种脊型波导结构，所述脊型波导结构的剖面形状为倒T型，所述脊型波导结构具有不同的刻蚀深度以及不同宽度的凸起部分，各所述脊型波导结构中所述凸起部分到其两侧的距离均为预设值；在位于所述第一岛结构侧方所述SOI衬底上的所述第一硬掩膜层、及其下方的所述顶层硅层上形成有光栅耦合器，所述光栅耦合器上具有多个第二岛结构，所述第二岛结构的刻蚀深度与所述脊型波导结构所需最小的刻蚀深度一致，所述第二岛结构的宽度与各所述凸起部分的宽度相一致，所述第二岛结构的长度依次减少，所述第二岛结构之间的第二开口图形的宽度同样为所述预设值；覆盖各所述脊型波导结构的第二硬掩膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 光栅耦合结构及其制造方法
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