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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
申请日：2019-08-29
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN110875573B
主分类号：H01S5/183
分类号：H01S5/183;H01S5/343;H01S5/187
优先权：["20180831 JP 2018-163390"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2020.03.10#公开
摘要：本发明涉及一种垂直腔面发射激光器，包括：有源层，其包括量子阱结构，量子阱结构包括一个或多个阱层，阱层包括含有铟来作为III族构成元素的III‑V化合物半导体；上层叠区域，其含有碳掺杂剂；以及基板，其用于安装包括有源层和上层叠区域的柱体，其中，有源层设置在上层叠区域与基板之间，量子阱结构的碳浓度为2×1016cm‑3以下，并且上层叠区域包括在远离有源层的位置处的铟堆积层。
主权项：1.一种垂直腔面发射激光器，包括：有源层，其包括量子阱结构，所述量子阱结构包括一个或多个阱层，所述阱层包括含有铟来作为III族构成元素的III-V化合物半导体；上层叠区域，其含有碳掺杂剂；以及基板，其用于安装包括所述有源层和所述上层叠区域的柱体，其中，所述有源层设置在所述上层叠区域与所述基板之间，所述量子阱结构的碳浓度为2×1016cm-3以下，所述上层叠区域包括在远离所述有源层的位置处的铟堆积层，所述上层叠区域包括用于分布式布拉格反射器的上层叠体以及设置在所述上层叠体与所述有源层之间的上间隔物层，并且所述铟堆积层设置在包括所述上层叠体与所述上间隔物层之间的界面的区域中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电气工业株式会社 垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的方法
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