龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日：2021-12-02
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN114220894B
主分类号：H01L33/30
分类号：H01L33/30;H01L33/14;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2022.04.08#实质审查的生效;2022.03.22#公开
摘要：本发明公开一种不可见光发光二极管及制备方法，所述不可见光发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面依次包含第一电流扩展层，第一InX1Ga1‑x1As层，第一覆盖层，有源层和第二覆盖层。本发明所述不可见光发光二极管采用GaAs层和InXGa1‑xAs层作为吸收层，在电流密度大于1Amm2情况下，可有效去除可见光部分，有效解决不可见光发光二极管的红爆现象。
主权项：1.不可见光发光二极管，包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面依次包括第一电流扩展层、第一覆盖层、有源层、第二覆盖层；其特征在于：包含第一Inx1Ga1-x1As层，所述第一Inx1Ga1-x1As层位于所述第一电流扩展层和第一覆盖层之间，所述第一Inx1Ga1-x1As层的x1的范围为0＜x1≤0.08；第一In含量过渡层，位于所述第一电流扩展层和第一Inx1Ga1-x1As层之间，所述第一In含量过渡层的In含量自所述第一电流扩展层至第一Inx1Ga1-x1As层方向In含量为逐渐增加；第三In含量过渡层，在第一Inx1Ga1-x1As层和第一覆盖层之间，所述第三In含量过渡层中的In含量自第一Inx1Ga1-x1As层自第一覆盖层为逐渐降低的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 一种不可见光发光二极管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号