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申请/专利权人：成都天一晶能半导体有限公司
申请日：2023-11-28
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN221141953U
主分类号：C30B29/36
分类号：C30B29/36;C30B11/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权
摘要：本实用新型提供一种用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，用以解决现有的碳化硅单晶生长炉的加热结构无法在内炉内形成竖直方向温度分布可调节的热场的问题。单晶生长炉包括炉体，嵌设在炉体内的保温筒，设置在炉体内腔中间部位的内炉；加热结构包括设置在内炉底部的底座式加热装置，套设在在内炉外周的套筒式加热装置。该加热结构实现对内炉的包覆式分区加热和分区独立精确温控，确保内炉内腔的温度分布均匀和稳定，为碳化硅单晶晶体生长提供良好的热场条件，提高碳化硅单晶晶体生长的稳定性和可重复性。该加热结构不仅实现内炉内竖直方向温度分布的调节，还提高了加热效率和加热质量，降低加热的能耗和成本。
主权项：1.用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构，所述单晶生长炉包括炉体100，嵌设在所述炉体100内的保温筒200，设置在炉体内腔中间部位的内炉300；其特征在于，所述加热结构包括：底座式加热装置400；所述底座式加热装置400设置在所述内炉300下方的炉体内腔底部；所述底座式加热装置400的底座基体410的上部具有内炉安装腔，下部具有底部加热腔；所述内炉300通过所述内炉安装腔嵌设在炉体内腔，所述内炉安装腔的侧壁的所述底座基体410内设置有第一周向电阻加热丝组420，用于从所述内炉300的底部外周对所述内炉300进行加热；所述底部加热腔中通过密封底板440设置有底部电阻加热丝430，用于从所述内炉300的底部对所述内炉300进行加热；套筒式加热装置500；所述套筒式加热装置500套设在所述内炉300的外周，与所述底座基体410固定连接；所述套筒式加热装置500的套筒基体510的壁体上设置有环形腔室511，所述环形腔室511内设置有柱状框架结构的第二周向电阻加热丝组520，用于从所述内炉300的外周对所述内炉300进行加热；所述第二周向电阻加热丝组520的多根环形电阻加热丝沿着柱状框架结构的竖直方向均匀分布且间隔设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都天一晶能半导体有限公司 用于液相法碳化硅单晶生长炉的加热结构
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