申请/专利权人：江苏晋誉达半导体股份有限公司

申请日：2024-05-21

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN118213288A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01J37/244;H01J37/317;G01D21/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.18#公开

摘要：本发明公开了一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法及检测方法，该制作方法包括以下步骤：S1、制作正面绝缘介质薄膜层和背面绝缘介质薄膜层；S2、制作下电极层；S3、沉积出热释电材料薄膜层；S4、制作出上电极层；S5、形成光刻胶图形层；S6、成型开口槽；S7、去除光刻胶和背面绝缘介质薄膜层；S8、硅片的背面固定玻璃片。该检测方法将检测探头固定在转换电路板上形成晶圆托盘，离子注入同时注入到晶圆和检测探头上，通过检测探头检测出温度和电压并根据标准对应关系最终得出离子注入剂量。该检测探头制作方法采用半导体工艺制作检测探头，该检测方法在离子注入时同时检测晶圆的注入剂量和温度，检测结果更准确。

主权项：1.一种离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、在硅片的正面和背面分别生长出正面绝缘介质薄膜层和背面绝缘介质薄膜层；S2、在正面绝缘介质薄膜层上制作出图形化的下电极层，其中下电极层包括数量相等且成对设置的功能下电极和引脚下电极，所述功能下电极离散分布于硅片的中部，所述引脚下电极位于功能下电极的外部，每个功能下电极和引脚下电极之间连接有下连接线；S3、在功能下电极上沉积出热释电材料薄膜层；S4、在正面绝缘介质薄膜层和热释电材料薄膜层上生长出上电极层；其中上电极层包括数量相等且成对设置的功能上电极和引脚上电极，所述功能上电极位于热释电材料薄膜层的上表面，所述引脚上电极位于正面绝缘介质薄膜层的上表面且离散分布，每个引脚上电极与对应的功能上电极之间连接有上连接线；所述上连接线与下连接线之间相互独立不接触；引脚上电极和引脚下电极相互独立不接触，相互叠置的功能上电极、热释电材料薄膜层和功能下电极构成了探头单体；S5、在背面绝缘介质薄膜层的表面形成光刻胶图形层，该光刻胶图形层具有与热释电材料薄膜层一一对应的图形槽；S6、以光刻胶图形层作为掩膜，从背面对背面绝缘介质薄膜层和硅片进行刻蚀形成与热释电材料薄膜层一一对应的开口槽，开口槽的槽底与正面绝缘介质薄膜层的背面平齐；S7、去除光刻胶图形层和背面绝缘介质薄膜层；S8、真空环境中在硅片的背面固定玻璃片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏晋誉达半导体股份有限公司 离子注入剂量和温度同时检测的检测探头制作方法及检测方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD