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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日：2023-07-03
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213322A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768
优先权：["20221215 US 18/081,846"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一导电特征，设置于该基底上；一抗背溅镀层，设置于该导电特征上；以及一第一硬遮罩结构，设置于该抗背溅镀层上。该抗背溅镀层对该第一硬遮罩结构具有蚀刻选择性。
主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；一导电特征，设置于该基底上；一抗背溅镀层，设置于该导电特征上；以及一第一硬遮罩结构，设置于该抗背溅镀层上；其中该抗背溅镀层对该第一硬遮罩结构具有蚀刻选择性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有抗背溅镀层的半导体元件
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