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申请/专利权人：东南大学
申请日：2024-04-17
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118222976A
主分类号：C23C14/14
分类号：C23C14/14;C23C14/34
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种基于活性屏等离子技术气相沉积合金镀层的方法，包括以下步骤：1将基底材料置于活性屏等离子设备中的样品台上，在样品台上放置中空导电网罩作为阴极；2将丝状、片状、网状或圆屏状的金属材料作为靶材按合金镀层的比例组成安装于样品台上方的导电支架上；3开启活性屏等离子设备，抽真空后通入工作气氛，调节压强和电参数，控制沉积条件，将靶材溅射到基底材料的表面制得金属或合金镀层。本发明基于活性屏等离子技术，通过调控合金靶材的形状和用量以调控镀层的成分组成，靶材灵活多变，便于调整，对基底材料的结构无要求，即便是三维结构材料也能进行均匀沉积，综上，本发明方法在调控镀层的结构和成分方面有着巨大的应用潜力。
主权项：1.一种基于活性屏等离子技术气相沉积合金镀层的方法，其特征在于，包括以下步骤：1将基底材料置于活性屏等离子设备中的样品台上，在样品台上放置中空导电网罩作为阴极，等离子体炉腔体为阳极；2在样品台上方设置导电支架上，将丝状、片状、网状或圆屏状的金属材料作为靶材按合金镀层的比例组成安装于样品台上方的导电支架上；3开启活性屏等离子设备，抽真空后通入工作气氛，调节压强和电参数，控制沉积条件，将靶材溅射到基底材料的表面制得金属或合金镀层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 一种基于活性屏等离子技术气相沉积合金镀层的方法
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