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申请/专利权人：武汉光庭信息技术股份有限公司
申请日：2024-02-19
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118210440A
主分类号：G06F3/06
分类号：G06F3/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种片内Flash线性存储方法、系统、介质及设备，其方法包括以下步骤：获取Flash存储器中的待写入逻辑分区的剩余存储空间；检测所述待写入逻辑分区的剩余存储空间是否大于等于待写入数据的存储空间；若是，则将待写入数据写入至所述待写入逻辑分区；若否，则选取待写入逻辑分区的下一个逻辑分区作为目标写入逻辑分区，并将待写入数据及所述待写入逻辑分区的已写入有效数据写入至所述目标写入逻辑分区；因此可使Flash存储器的各个存储空间使用均衡，可有效节省存储空间，提高Flash存储器的空间利用率以及擦写使用寿命。
主权项：1.一种片内Flash线性存储方法，其特征在于，具体包括以下步骤：获取Flash存储器中的待写入逻辑分区的剩余存储空间；检测所述待写入逻辑分区的剩余存储空间是否大于等于待写入数据的存储空间；若是，则将待写入数据写入至所述待写入逻辑分区；若否，则选取待写入逻辑分区的下一个逻辑分区作为目标写入逻辑分区，并将待写入数据及所述待写入逻辑分区的已写入有效数据写入至所述目标写入逻辑分区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉光庭信息技术股份有限公司 片内Flash线性存储方法、系统、介质及设备
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