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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：刻蚀所述第二源漏掺杂材料膜，直至暴露出沟道材料膜表面，形成第二源漏掺杂层；在所述第二源漏掺杂层侧壁表面形成第二侧墙；以所述第二侧墙和第二源漏掺杂层为掩膜，刻蚀所述沟道材料膜和第一源漏掺杂材料膜，使沟道材料膜形成初始沟道柱，使第一源漏掺杂材料膜形成初始第一源掺杂层；刻蚀暴露出的所述初始第一源漏掺杂层表面，形成第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层侧壁相对于初始沟道柱侧壁凹陷；在所述第一源漏掺杂层表面形成第一侧墙，所述第一侧墙能够对第一源漏掺杂层起到较好的保护作用，所述第二侧墙能够对第二源漏掺杂层起到较好的保护作用，从而有利于提高形成的半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底表面的第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层表面具有第一侧墙；位于所述第一源漏掺杂层顶部表面的沟道柱；位于所述沟道柱顶部表面的第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层侧壁表面具有第二侧墙；位于沟道柱侧壁表面的栅极结构；以及位于栅极结构顶部表面的第一插塞；位于第一源漏掺杂层顶部表面的第二插塞，所述第二插塞贯穿所述栅极结构；位于第二源漏掺杂层顶部表面的第三插塞。
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权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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