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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：本申请公开了一种修正掩膜图案的方法，其中，所述掩膜图案包括第一图形以及与所述第一图形相交于一点的第二图形，所述方法包括：形成第三图形，所述第三图形位于所述第一图形和所述第二图形的交点附近并被配置为防止所述第一图形或所述第二图形的、穿过所述交点的边线在OPC之后发生位移。本申请所公开的方法通过设置额外的修正图形以补偿OPC后可能发生的边界漂移，从而避免了在后续倒角处理时出现边界外扩现象，进而避免了蚀刻过程中的过度切割。
主权项：1.一种修正掩膜图案的方法，其特征在于，所述掩膜图案包括：第一图形；以及第二图形，与所述第一图形相交于一点，所述方法包括：形成第三图形，所述第三图形位于所述第一图形和所述第二图形的交点附近并被配置为防止所述第一图形或所述第二图形的、穿过所述交点的边线在OPC之后发生位移，所述第三图形的第一边线与所述第一图形的穿过所述交点的第一边线共线或重叠，所述第三图形的第二边线与所述第二图形的穿过所述交点的第一边线共线或重叠，所述第三图形的最长边的长度不超过所述OPC中的最小边缘片段的长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 修正掩膜图案的方法
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