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申请/专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日：2019-08-30
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN112447507B
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/033
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.03.23#实质审查的生效;2021.03.05#公开
摘要：本发明提供一种提高沟槽栅击穿特性的GOI测试样片制造方法，包括以下步骤：S1：在衬底硅片上沉积初始氧化层作为硬掩膜层；S2：光刻定义出沟槽的图案，根据所述图案在所述硬掩膜层上刻蚀，形成具有第一宽度的开口，其中所述第一宽度指的是所述开口在平行于所述硅片的方向上的距离；S3：通过所述开口在所述硅片上进行刻蚀，形成具有第一深度和第二宽度的沟槽，其中所述第二宽度大于所述第一宽度；S4：对所述硅片上形成的沟槽进行表面处理；S5：采用炉管生长栅氧化层，并在所述栅氧化层上沉积导电介质；S6：对所述掺杂多晶硅进行刻蚀形成栅极，并在所述硅片的背面进行金属化以形成背面电极。
主权项：1.一种提高沟槽栅击穿特性的GOI测试样片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在衬底硅片上沉积初始氧化层作为硬掩膜层；S2：光刻定义出沟槽的图案，根据所述图案在所述硬掩膜层上刻蚀，形成具有第一宽度的开口，其中所述第一宽度指的是所述开口在平行于所述硅片的方向上的距离；S3：通过所述开口在所述硅片上进行刻蚀，形成具有第一深度和第二宽度的沟槽，其中所述第一深度指的是所述沟槽在垂直于所述硅片的方向上的距离，所述第二宽度指的是所述沟槽在平行于所述硅片的方向上的距离；所述第二宽度大于所述第一宽度，在所述沟槽和所述开口相接的地方形成阻挡台阶，所述阻挡台阶的横截面形成直角；S4：对所述硅片上形成的沟槽进行表面处理，实现所述沟槽顶角圆化和减少所述沟槽表面缺陷；S5：采用炉管生长栅氧化层，并在所述栅氧化层上沉积导电介质，所述导电介质包括掺杂多晶硅；S6：对所述掺杂多晶硅进行刻蚀形成栅极，并在所述硅片的背面进行金属化以形成背面电极。
全文数据：
权利要求：
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