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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248720A
主分类号：H01L29/40
分类号：H01L29/40;H01L21/28;H01L21/761;H01L21/762
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种提高PN结击穿电压的结构，包括衬底；形成于所述衬底上的N阱和P阱，以及用于隔离所述N阱和所述P阱的浅沟槽隔离；形成于所述浅沟槽隔离上的场板结构，其用于改善PN结处的电场线，以增加所述PN结的击穿电压。本发明引入场板结构，改善在PN结处的电场线，从而增加结隔离击穿电压。
主权项：1.一种提高PN结击穿电压的结构，其特征在于，至少包括：衬底；形成于所述衬底上的N阱和P阱，以及用于隔离所述N阱和所述P阱的浅沟槽隔离；形成于所述浅沟槽隔离上的场板结构，其用于改善PN结处的电场线，以增加所述PN结的击穿电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 提高PN结击穿电压的结构及其制造方法
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皖公网安备 34010402703815号