龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：江苏长晶科技股份有限公司
申请日：2020-09-01
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN111834463B
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
优先权：["20191230 CN 2019113950931"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2024.05.28#著录事项变更;2020.11.13#实质审查的生效;2020.10.27#公开
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备，该制备方法包括：在外延半导体层上形成沟槽；在沟槽的内壁形成第一绝缘层，并在沟槽中形成第一栅极，第一绝缘层和第一栅极延伸至外延半导体层的表面，第一绝缘层用于隔开第一栅极和外延半导体层；刻蚀第一绝缘层和第一栅极，使得刻蚀后的第一绝缘层的表面与刻蚀后的第一栅极的表面共面；在刻蚀后的第一栅极和刻蚀后的第一绝缘层的表面形成层间介电层；在沟槽的上部的侧壁上形成第二绝缘层，并在沟槽的上部中形成第二栅极，其中，沟槽的上部为层间介电层远离第一栅极的表面至沟槽开口的部分。本发明的技术方案利用，能够简化工艺、提高屏蔽栅沟槽MOSFET的性能和可靠性。
主权项：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于，包括：在外延半导体层上形成沟槽；在所述沟槽的内壁形成第一绝缘层，并在所述沟槽中形成第一栅极，所述第一绝缘层和所述第一栅极延伸至所述外延半导体层的表面，所述第一绝缘层用于隔开所述第一栅极和所述外延半导体层；刻蚀所述第一绝缘层和所述第一栅极，使得刻蚀后的所述第一绝缘层的表面与刻蚀后的所述第一栅极的表面共面；在所述刻蚀后的所述第一栅极和所述刻蚀后的所述第一绝缘层的表面形成层间介电层；其中，所述层间介电层厚度均匀、表面平整；在所述沟槽的上部的侧壁上形成第二绝缘层，并在所述沟槽的上部中形成第二栅极，其中，所述沟槽的上部为所述层间介电层远离所述第一栅极的表面至所述沟槽开口的部分，其中，所述层间介电层与所述第二绝缘层均为氧化层，所述层间介电层与所述第二绝缘层是一体化形成的，其中，所述在所述刻蚀后的所述第一栅极和所述刻蚀后的所述第一绝缘层的表面形成层间介电层，以及所述在所述沟槽的上部的侧壁上形成第二绝缘层，包括：通过热氧化方法在所述刻蚀后的所述第一栅极的表面、所述刻蚀后的所述第一绝缘层的表面以及所述沟槽的上部的侧壁上形成所述氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏长晶科技股份有限公司 屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号