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申请/专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日：2020-09-09
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN112466737B
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32
优先权：["20190909 JP 2019-163822","20200707 JP 2020-117323"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2021.03.09#公开
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其能够检测较窄区域中的光的变化。实施方式所涉及的等离子体处理装置具备：腔室，可维持比大气压更被减压的环境；气体供给部，能够向所述腔室的内部供给气体；放置部，设置在所述腔室的内部，可放置处理物；减压部，能够对所述腔室的内部进行减压；窗，设置于所述腔室，与所述放置部相对；等离子体产生部，设置在所述腔室的外部且所述窗的与所述放置部侧呈相反侧的面上，能够在所述腔室的内部产生等离子体；光路改变部，设置在所述窗的内部的局部，具有相对于所述腔室的中心轴发生倾斜的面；及检测部，设置在所述窗的侧面侧，与所述光路改变部的所述面相对。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征为，具备：腔室，可维持比大气压更被减压的环境；气体供给部，能够向所述腔室的内部供给气体；放置部，设置在所述腔室的内部，可放置处理物；减压部，能够对所述腔室的内部进行减压；窗，设置于所述腔室，与所述放置部相对；等离子体产生部，设置在所述腔室的外部且所述窗的与所述放置部侧呈相反侧的面上，能够在所述腔室的内部产生等离子体；光路改变部，设置在所述窗的内部的局部，具有相对于所述腔室的中心轴发生倾斜的面；及检测部，设置在所述窗的侧面侧，与所述光路改变部的所述面相对，所述检测部具有：投光部，对所述光路改变部的所述面照射光；以及受光部，接收在所述处理物的表面发生反射且经由所述光路改变部射向所述检测部的光与从所述投光部射出的所述光的干涉光，根据所述干涉光的变化，执行对被放置在所述放置部的所述处理物的等离子体处理的终点检测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芝浦机械电子株式会社 等离子体处理装置
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