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【发明授权】一种二维硅/锗复合材料及其制备方法和应用_山东理工大学_202211685119.8 

申请/专利权人:山东理工大学

申请日:2022-12-27

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN115893421B

主分类号:C01B33/023

分类号:C01B33/023;H01M4/38;H01M4/36;H01M10/0525;B22F9/24

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.18#授权;2023.04.21#实质审查的生效;2023.04.04#公开

摘要:本发明实施例公开了一种二维硅锗复合材料及其制备方法和应用。一种二维硅锗复合材料的制备方法包括:将层状二氧化硅原材料进行高温煅烧,得到膨胀的层状二氧化硅;将膨胀的层状二氧化硅与锗化镁、氯化盐体系混合,在惰性氛围下进行加热,得到反应产物;将反应产物进行酸洗、分离、干燥,获得二维硅锗复合材料。本发明提供的复合材料具有独特的二维结构,不仅可以有效缓冲充放电过程中的体积膨胀,易于形成高堆积密度的电极,而且内部为“同构异质”的硅锗二元活性材料,可以协同发挥二者优势,有效提高锂离子电池的容量、倍率性能和循环稳定性。另外,本发明制备工艺简单,可实现批量规模化生产,且反应温度低,过程无污染。

主权项:1.一种二维硅锗复合材料的制备方法,其特征在于,包括:将层状二氧化硅原材料进行高温煅烧,得到膨胀的层状二氧化硅;将膨胀的层状二氧化硅与锗化镁、氯化盐体系混合,在惰性氛围下进行加热,得到反应产物;将反应产物进行酸洗、分离、干燥,获得二维硅锗复合材料;所述氯化盐体系为AlCl3ZnCl2或AlCl3NaCl,其中AlCl3与ZnCl2,或AlCl3与NaCl的质量比为(4-20):1;所述膨胀的层状二氧化硅与锗化镁的质量比为(0.1-2):1。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 山东理工大学 一种二维硅/锗复合材料及其制备方法和应用

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