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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2020-07-21
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN112018127B
主分类号：H10B43/35
分类号：H10B43/35;H10B43/27
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开
摘要：公开了一种金属层的形成方法、3D存储器件及其制造方法，金属层的形成方法包括：在介质层表面依次堆叠形成硬掩模、第一牺牲层和第一光刻胶层；经由图案化的所述第一光刻胶层刻蚀所述第一牺牲层，形成多个轴芯；在多个所述轴芯表面形成氧化层；图案化所述氧化层去除所述轴芯，形成多个侧墙；在多个所述侧墙的间隙和顶部形成第二牺牲层；以所述侧墙为阻挡，经由图案化的第二光刻胶层刻蚀所述第二牺牲层和部分所述硬掩模；经由所述硬掩模的开口刻蚀所述介质层；在所述介质层的开口中填充金属层，其中，所述硬掩模包括氮化物层。该金属层的形成方法采用氮化物层做硬掩模，减小了工艺温度，保证了金属层的线粗糙度，扩大了工艺应用范围。
主权项：1.一种金属层的形成方法，其中，包括：在介质层表面依次堆叠形成硬掩模、第一牺牲层和第一光刻胶层，所述硬掩模包括多层结构，多层结构包括依次层叠在所述介质层表面上的第一氮氧化硅层、氮化钛层和第二氮氧化硅层；经由图案化的所述第一光刻胶层刻蚀所述第一牺牲层，形成多个轴芯；在多个所述轴芯表面形成氧化层；图案化所述氧化层去除所述轴芯，形成多个侧墙；在多个所述侧墙的间隙和顶部形成第二牺牲层；以所述侧墙为阻挡，经由图案化的第二光刻胶层刻蚀所述第二牺牲层和部分所述硬掩模，将硬掩模的氮化钛层和第二氮氧化硅层部分刻蚀，形成多个相互间隔的开口；经由所述硬掩模的开口刻蚀所述介质层；在所述介质层的开口中填充金属层；对所述金属层进行化学机械抛光，去除所述介质层表面上的所述硬掩模。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 金属层的形成方法、3D存储器件及其制造方法
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