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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2021-09-06
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN113741068B
主分类号：G02F1/09
分类号：G02F1/09;C30B29/28;C30B29/16;C30B28/12
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开
摘要：本申请的实施例提供了一种磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法。该磁光薄膜包括：基底；设置在所述基底之上的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包含金属氧化物；设置在所述扩散阻挡层之上的缓冲层；以及设置在所述缓冲层之上的光隔离层。在这样的实施例中，由于在基底上生长的扩散阻挡层中的金属氧化物是多晶的，更有利于缓冲层在扩散阻挡层上形核，结晶性好。此外，由于金属氧化物具有较高的致密度和热稳定性，因而能够提供稳定可靠的扩散阻挡效果，进一步降低了磁光薄膜的光学损耗。
主权项：1.一种磁光薄膜，其特征在于，包括：基底；设置在所述基底之上的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包含金属氧化物，所述扩散阻挡层的厚度在3nm与8nm之间的范围内；设置在所述扩散阻挡层之上的缓冲层，所述缓冲层的厚度在90nm与110nm之间的范围内；以及设置在所述缓冲层之上的光隔离层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 磁光薄膜、光隔离器以及制造磁光薄膜的方法
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