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申请/专利权人：上海源斌电子科技有限公司

摘要：本发明公开了一种基于物联网的控制芯片自动化数据处理系统及方法，属于数据处理技术领域。本发明包括：S10：数据分析终端根据接收的实时测试数据对控制芯片的功能缺陷位置进行确定；S20：对控制芯片在各功能缺陷位置的实时测试数据进行自动关联，根据自动关联结果，对控制芯片的功能缺陷根源位置进行确定；S30：根据控制芯片的功能缺陷根源位置的优先级别，对控制芯片的功能缺陷原因进行分析；S40：对其它控制芯片的故障情况进行分析。本发明通过各功能模块中各功能缺陷位置之间的关联度，对各功能模块的功能缺陷根源位置进行确定，减少了系统对功能缺陷位置的数据处理量，进一步提高了系统的数据处理速率。

主权项：1.一种基于物联网的控制芯片自动化数据处理方法，其特征在于：所述方法包括：S10：将控制芯片与应用程序编程接口进行连接，将应用程序编程接口与数据分析终端进行连接，控制芯片的实时测试数据通过应用程序编程接口传输至数据分析终端，数据分析终端根据接收的实时测试数据对控制芯片的功能缺陷位置进行确定，具体方法为：对控制芯片的实时测试环境温度进行获取，判断获取的测试环境温度是否在设定测试环境温度范围内，设定测试环境温度的范围值为T′至T″，若在，则表示控制芯片产生的实时测试数据的延迟时间为0，若不在，则构建预测模型对控制芯片产生的实时测试数据的延迟时间t进行预测；根据获取的控制芯片的实时测试环境温度的变化情况，对获取的实时测试环境温度进行划分，每一划分段内的实时测试环境温度值均相同，相邻划分点对应的实时测试环境温度值不同；具体的预测模型为： 其中，u＝1,2,…,n，表示各划分点对应的编号，n表示划分点总数，V表示控制芯片在设定测试环境温度范围内的平均运行速度，α表示控制芯片的测试环境温度每降低1℃对应的平均运行速度降低值，β表示控制芯片的测试环境温度每升高1℃对应的平均运行速度降低值，Tu表示控制芯片在第u个划分段内对应的实时测试环境温度值，Su表示控制芯片在第u个划分段内处理的数据总量，当Tu-T″＞0时，当Tu-T″≤0时，当T′-Tu≤0时，当T′-Tu＞0时，根据预测的延迟时间对标准监测数据的产生时间进行调整，将调整后的标准监测数据与数据分析终端接收的实时测试数据进行比较，根据比较结果对控制芯片的功能缺陷位置进行确定；S20：对控制芯片在各功能缺陷位置的实时测试数据进行自动关联，根据自动关联结果，对控制芯片的功能缺陷根源位置进行确定；所述S20包括：S201：对各功能缺陷位置对应的功能模块进行确定，将属于同一功能模块的功能缺陷位置放入同一集合中，在同一集合中随机选取一个功能缺陷位置，判断选取的功能缺陷位置是否为同一集合中剩余的各功能缺陷位置提供数据支持，若不提供数据支持，则表示选取的功能缺陷位置与对应功能缺陷位置之间的关联度为0，若提供数据支持，则表示选取的功能缺陷位置与对应功能缺陷位置之间的关联度为1，直至同一集合中的功能缺陷位置均被选取；S202：当选取的功能缺陷位置与对应功能缺陷位置之间的关联度为0时，选取的功能缺陷位置和对应功能缺陷位置均为对应功能模块的功能缺陷根源位置，将确定为对应功能模块的功能缺陷根源位置从集合中剔除处理；当选取的功能缺陷位置与对应功能缺陷位置之间的关联度为1时，对经过剔除处理后的集合中各功能缺陷位置在关联度为1时出现的次数进行获取，若Ui＞1，则判断对应功能缺陷位置存在的异常数据量是否等于Ui，若等于，则对应功能缺陷位置非对应功能模块的功能缺陷根源位置，若不等于，则对应功能缺陷位置为对应功能模块的功能缺陷根源位置，对应功能缺陷位置存在的异常数据量≥Ui，若Ui＝1，则表示对应功能缺陷位置为对应功能模块的功能缺陷根源位置，i＝1,2,…,m，表示经过剔除处理后的集合中各功能缺陷位置对应的编号，m表示功能缺陷位置总数，Ui表示在进行关联度分析时，编号为i的功能缺陷位置在关联度为1时出现的次数；S30：根据控制芯片的功能缺陷根源位置的优先级别，对控制芯片的功能缺陷原因进行分析；所述S30包括：S301：根据控制芯片中各功能缺陷根源位置的工作时间点，对控制芯片的各功能缺陷根源位置的优先级别进行确定，工作时间点距离控制芯片的测试时间点越近，对应的功能缺陷根源位置优先级别越高；S302：对属于第一优先级别的功能缺陷根源位置的实时测试数据进行获取，对获取的实时测试数据与对应匹配的调整后的标准监测数据之间的差值进行计算，对差值的实时变化率进行确定，将确定的实时变化率与控制芯片在对应时间段内的电压实时变化率进行比较，若两者变化率相同，则表示属于第一优先级别的功能缺陷根源位置的功能缺陷原因为控制芯片的测试电压波动，若两者变化率不同，则判断计算的差值是否处于误差范围内，若处于误差范围内，则表示属于第一优先级别的功能缺陷根源位置的功能缺陷原因为控制芯片的测试误差，若不处于误差范围内，则表示属于第一优先级别的功能缺陷根源位置的功能缺陷原因为外界电磁信号干扰或芯片自身缺陷；当属于第一优先级别的功能缺陷根源位置的功能缺陷原因为控制芯片的测试误差时，在属于第一优先级别的功能缺陷位置对控制芯片产生的实时测试数据进行校正处理；当属于第一优先级别的功能缺陷根源位置的功能缺陷原因为外界电磁信号干扰时，对控制芯片测试位置存在的干扰电磁信号进行屏蔽；当属于第一优先级别的功能缺陷根源位置的功能缺陷原因为芯片自身缺陷时，此时停止对控制芯片进行测试；S303：根据S302中对属于第一优先级别的功能缺陷根源位置的功能缺陷原因的分析方法，顺序对其他优先级别的功能缺陷根源位置的功能缺陷原因进行自动化分析；S40：根据S30中的分析结果，对控制芯片进行功能修复处理，将修复后的控制芯片的实时测试数据作为监测数据，在控制芯片的测试环境温度相同的情况下，通过监测数据与其它控制芯片的实时测试数据的对比结果，对其它控制芯片的故障情况进行分析。

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