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申请/专利权人：内蒙古科技大学
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231500A
主分类号：H01L31/0392
分类号：H01L31/0392;H01L31/08;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种具有高光电流密度的六方锰酸镱铁电薄膜及其制备方法，该铁电薄膜为六方的钙钛矿结构，空间点群为P63cm，其通式为xHoMnO3‑1‑xYbMnO3，其中，x的取值为0.02～0.08。本发明的铁电薄膜用Ho对YbMnO3进行A位掺杂，由于Ho替代了部分Yb，使得薄膜材料产生较多的铁电畴，从而增强了铁电薄膜材料的剩余极化，能够使xHoMnO3‑1‑xYbMnO3铁电薄膜的光生载流子的分离并且抑制光生载流子的复合，从而使得其光电流密度增大。而且掺杂后的薄膜材料的带隙明显减小，在室温条件下，该铁电薄膜的带隙为1.40～1.42eV，随着HoMnO3的引入，铁电畴数目增加，使得该铁电薄膜材料的铁电性能增强。
主权项：1.一种具有高光电流密度的六方锰酸镱铁电薄膜，其特征在于，该铁电薄膜为六方的钙钛矿结构，空间点群为P63cm，其通式为xHoMnO3-1-xYbMnO3，其中，x的取值为0.02～0.08。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 内蒙古科技大学 一种六方锰酸镱铁电薄膜、其制备方法和应用
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