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申请/专利权人：南方科技大学
申请日：2024-03-15
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231233A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L29/45
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请公开了一种金属‑半导体结构的制备方法及结构、顶栅场效应管，包括，在第一承载层上依次沉积牺牲层和第二承载层，并在第二承载层上通过电子束蒸镀电极金属，形成第一金属层，通过离子束刻蚀第一金属层和第二承载层，得到第一结构；在第一结构上，通过电子束蒸镀电极金属，形成第二金属层，通过离子束刻蚀第二金属层，于牺牲层上形成电极，在刻蚀后的第一结构上旋涂支撑层，得到第二结构；放置第二结构至第一溶解液中，溶解牺牲层，得到第三结构；转移第三结构至衬底，溶解支撑层，得到金属‑半导体结构；本申请通过在牺牲层上蒸镀和套刻金属电极，避免高能粒子与半导体直接接触，解决了金属电极与半导体之间接触性能较差的技术问题。
主权项：1.一种金属-半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：在第一承载层上依次沉积牺牲层和第二承载层，并在所述第二承载层上通过电子束蒸镀电极金属，形成第一金属层，通过离子束刻蚀所述第一金属层和所述第二承载层，得到第一结构；在所述第一结构上，通过电子束蒸镀电极金属，形成第二金属层，通过离子束刻蚀所述第二金属层，于所述牺牲层上形成电极，在刻蚀后的第一结构上旋涂支撑层，得到第二结构；放置所述第二结构至第一溶解液中，溶解所述牺牲层，得到第三结构；转移所述第三结构至衬底，溶解所述支撑层，得到所述金属-半导体结构；其中，所述第一结构从上至下包括所述第一金属层、所述第二承载层、所述牺牲层和所述第一承载层；所述第二结构从上至下包括所述支撑层、所述电极、所述牺牲层和所述第一承载层；所述第三结构从上至下包括所述支撑层和所述电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南方科技大学 一种金属-半导体结构的制备方法及结构、顶栅场效应管
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