申请/专利权人:上海华力微电子有限公司
申请日:2024-03-26
公开(公告)日:2024-06-21
公开(公告)号:CN118231383A
主分类号:H01L23/544
分类号:H01L23/544;H01L21/66
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.21#公开
摘要:本发明提供一种测试结构以及失效分析方法,测试结构包括:多个测试单元、第一金属线、第二金属线以及第三金属线;测试结构由多个测试单元依次连接形成,测试单元中设置有多个CT,第一金属线依次连接相邻的两个CT;多个测试单元在第一方向上通过第二金属线连接,形成链式结构;多个链式结构在第二方向上通过第三金属线连接,多个测试单元依次连接呈蛇形排布;其中,多个测试单元位于同一层级,第一金属线位于测试单元的上层,第二金属线位于第一金属线的上层,第三金属线位于第二金属线的上层。如此配置,能够同时满足SCM的测试要求,模拟产线制程要求和失效分析要求,并能够在产生栅极CT高阻问题时,实现精准定位,提升失效分析的成功率。
主权项:1.一种测试结构,其特征在于,包括:多个测试单元、第一金属线、第二金属线以及第三金属线;所述测试结构由多个所述测试单元依次连接形成,所述测试单元中设置有多个CT,所述第一金属线依次连接相邻的两个所述CT;多个所述测试单元在第一方向上通过所述第二金属线连接,形成链式结构;多个所述链式结构在第二方向上通过所述第三金属线连接,多个所述测试单元依次连接呈蛇形排布;所述测试结构包括多个层级,其中,多个所述测试单元位于同一层级,所述第一金属线位于所述测试单元的上一层级,所述第二金属线位于所述第一金属线的上一层级,所述第三金属线位于所述第二金属线的上一层级。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海华力微电子有限公司 测试结构以及失效分析方法
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