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申请/专利权人：广州中雷电科科技有限公司
申请日：2024-05-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231273A
主分类号：H01L21/603
分类号：H01L21/603;H01L21/68;B23K26/362;B23K26/38
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种芯片共晶焊接压块、定位片加工方法及芯片共晶焊接方法，包括：根据多个待焊接芯片的图形确定所述待焊接芯片中不可施压区域，生成施加激光加工路径；根据多个所述待焊接芯片的厚度确定压块蚀刻顺序，所述压块蚀刻顺序为多个所述待焊接芯片的厚度从薄至厚；在压块陶瓷片上采用激光蚀刻方法根据所述施加激光加工路径和所述压块蚀刻顺序蚀刻出多种尺寸的凸点。实施本发明，通过在压块陶瓷片和定位陶瓷片上分别采用激光蚀刻方法加工出的芯片共晶焊接压块和芯片共晶焊接定位片，降低成本，提高平整度，避免共晶焊接时与焊锡粘连，易于脱模，同时芯片共晶焊接压块和芯片共晶焊接定位片的厚度、以及凸点和容置槽的尺寸不受限制。
主权项：1.一种芯片共晶焊接压块加工方法，其特征在于，包括：步骤S101：根据多个待焊接芯片的图形确定所述待焊接芯片中不可施压区域，生成施加激光加工路径；步骤S102：根据多个所述待焊接芯片的厚度确定压块蚀刻顺序，所述压块蚀刻顺序为多个所述待焊接芯片的厚度从薄至厚；步骤S103：在压块陶瓷片上采用激光蚀刻方法根据所述施加激光加工路径和所述压块蚀刻顺序蚀刻出多种高度的凸点，所述凸点用于对所述待焊接芯片进行施压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州中雷电科科技有限公司 芯片共晶焊接压块、定位片加工方法及芯片共晶焊接方法
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