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申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234227A
主分类号：H10B41/30
分类号：H10B41/30
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请涉及一种闪速存储器结构的制备方法。该制备方法包括：提供衬底。所述衬底内具有隔离沟槽，所述隔离沟槽内形成有隔离结构。对所述隔离结构进行干法刻蚀以形成凹坑，所述凹坑位于所述隔离沟槽的边缘。于所述衬底上形成浮置栅极，其中，部分所述浮置栅极嵌于所述凹坑内。本申请提供的制备方法，相较于相关技术中采用湿法刻蚀工艺形成凹坑的方法，一方面，无需进行反复酸洗，减少了制备流程，降低了闪速存储器结构的制备难度；另一方面，可以更好地控制凹坑的形貌，便于设计人员根据实际调整凹坑的形貌。
主权项：1.一种闪速存储器结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；所述衬底内具有隔离沟槽，所述隔离沟槽内形成有隔离结构；对所述隔离结构进行干法刻蚀以形成凹坑，所述凹坑位于所述隔离沟槽的边缘；于所述衬底上形成浮置栅极，其中，部分所述浮置栅极嵌于所述凹坑内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 闪速存储器结构的制备方法
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