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【发明授权】晶圆形状的测量方法_信越半导体株式会社_202080069761.6 

申请/专利权人:信越半导体株式会社

申请日:2020-09-04

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN114467007B

主分类号:G01B11/16

分类号:G01B11/16;G01B11/24;G01B21/30

优先权:["20191011 JP 2019-187838"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权;2022.05.27#实质审查的生效;2022.05.10#公开

摘要:本发明提供一种晶圆形状的测量方法,通过平坦度测量机一边保持具有第一主面和第二主面的晶圆的外周一边测量该晶圆的形状,平坦度测量机具有分别位于投入至机内的晶圆的两面侧的第一光学系统与第二光学系统,包括以下工序:第一工序,仅使用第一光学系统和第二光学系统中的任意一个光学系统,分别测量晶圆的第一主面的表面位移量和第二主面的表面位移量;第二工序,使用通过该一个光学系统测量出的第一主面的表面位移量及第二主面的表面位移量,计算因晶圆的外周保持而产生的外周保持变形量;以及第三工序,从平坦度测量机所输出的Warp值减去外周保持变形量,从而计算晶圆原本的Warp值。由此,提供一种晶圆形状的测量方法,该方法能够使用平坦度测量机测量晶圆原本的Warp值,并能够获得抑制了机械误差的Warp值。

主权项:1.一种晶圆形状的测量方法,通过平坦度测量机一边保持具有第一主面和第二主面的晶圆的外周一边测量该晶圆的形状,所述平坦度测量机具有分别位于投入至机内的所述晶圆的两面侧的第一光学系统与第二光学系统,其特征在于,包括以下工序:第一工序,仅使用所述第一光学系统和所述第二光学系统中的任意一个光学系统,分别测量所述晶圆的第一主面的表面位移量和第二主面的表面位移量;第二工序,使用通过所述一个光学系统测量出的所述第一主面的表面位移量及所述第二主面的表面位移量,计算因所述晶圆的外周保持而产生的外周保持变形量;以及第三工序,从所述平坦度测量机所输出的Warp值减去所述外周保持变形量,从而计算所述晶圆原本的Warp值,所述第二工序具有所述晶圆的第一厚度不均度的获得阶段、所述晶圆的第二厚度不均度的获得阶段、及所述外周保持变形量的获得阶段,在所述晶圆的第一厚度不均度的获得阶段中,对通过所述第一工序测量出的第二主面的表面位移量进行修正,获得修正后的第二主面的表面位移量,根据通过所述第一工序测量出的第一主面的表面位移量与所述修正后的第二主面的表面位移量之差,获得所述第一厚度不均度,在所述晶圆的第二厚度不均度的获得阶段中,根据使用所述一个光学系统测量出的第一主面的表面位移量与使用另一个光学系统测量出的第二主面的表面位移量之差,获得所述第二厚度不均度,在所述外周保持变形量的获得阶段中,计算所述第一厚度不均度的平均值与所述第二厚度不均度的平均值,将所述第二厚度不均度的平均值与所述第一厚度不均度的平均值之差与所述第一厚度不均度相加,从而获得修改后的第一厚度不均度,将该修改后的第一厚度不均度与所述第二厚度不均度之差的12的值作为所述外周保持变形量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 信越半导体株式会社 晶圆形状的测量方法

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