申请/专利权人：上海铭锟半导体有限公司

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN117092881B

主分类号：G03F7/00

分类号：G03F7/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2023.12.08#实质审查的生效;2023.11.21#公开

摘要：本发明公开了一种纳米压印母版的制备方法，其中方法包括以下步骤：S1.制备多层待刻蚀层及停止层：以衬底为基础沉积多层待刻蚀层及停止层；S2.判断刻蚀深度：若刻蚀深度为第n目标深度，即第n待刻蚀层的厚度，则执行步骤S3；若刻蚀深度为第i目标深度，则执行步骤S4；S3.刻蚀第n目标深度：通过高选择比气体刻蚀第n待刻蚀层，形成具有第n目标深度的刻蚀区域；S4.刻蚀第i目标深度：先后通过低选择比和高选择比气体刻蚀第n待刻蚀层、第n停止层......及第i待刻蚀层，形成具有第i目标深度的刻蚀区域。本发明将单层待刻蚀层按不同的刻蚀深度分成多层，针对每一层待刻蚀层添加停止层，可提升压印母版的性能。

主权项：1.一种纳米压印母版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.制备多层待刻蚀层及停止层：以衬底为基础沉积多层待刻蚀层及停止层，包括由下至上沉积的第一停止层（S1）、第一待刻蚀层（T1）、第二停止层（S2）、第二待刻蚀层（T2）......第n停止层（Sn）及第n待刻蚀层（Tn）；S2.判断刻蚀深度：若刻蚀深度为第n目标深度（Hn），即第n待刻蚀层（Tn）的厚度，则执行步骤S3；若刻蚀深度为第i目标深度（Hi），0in，所述第i目标深度（Hi）为第i待刻蚀层（Ti）......第n停止层（Sn）及第n待刻蚀层（Tn）的厚度之和，则执行步骤S4；S3.刻蚀第n目标深度：在第n待刻蚀层（Tn）上设置图案化光阻层并打开待刻蚀区域，通过高选择比气体刻蚀第n待刻蚀层（Tn），停在第n停止层（Sn）上，形成具有第n目标深度的刻蚀区域，所述高选择比气体对待刻蚀层的刻蚀速率快于对停止层的刻蚀速率；S4.刻蚀第i目标深度：在第n待刻蚀层（Tn）上设置图案化光阻层并打开待刻蚀区域，通过低选择比气体刻蚀第n待刻蚀层（Tn）、第n停止层（Sn）......及第i待刻蚀层（Ti）上半部分，所述低选择比气体对待刻蚀层的刻蚀速率接近对停止层的刻蚀速率；再通过高选择比气体刻蚀第i待刻蚀层（Ti）下半部分，停在第i停止层（Si）上，形成具有第i目标深度的刻蚀区域；当第一目标深度（H1）第二目标深度（H2）第三目标深度（H3）时，第一停止层（S1）的厚度与第一待刻蚀层（T1）的选择比有关，选择比越高，停止层越薄；第一待刻蚀层（T1）的厚度为第一目标深度（H1）减去第二层和第三层待刻蚀层和停止层厚度，即T1=H1-T3-S3-T2-S2；第三待刻蚀层（T3）的厚度为第三目标深度（H3）。

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权利要求：

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