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申请/专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日：2024-01-26
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN117637874B
主分类号：H01L31/0224
分类号：H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开
摘要：本发明公开一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，以防止第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层导通，同时缩短部分载流子的运动距离。所述背接触电池包括：硅基底、以及交替间隔分布在硅基底背光面一侧的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的导电类型相反。在硅基底的背光面中，与第一掺杂半导体层对应的区域为第一区域，与第二掺杂半导体层对应的区域为第二区域，位于第一区域和与自身相邻的第二区域之间的区域为间隔区域。第二区域的表面相对于第一区域的表面向硅基底内凹入。间隔区域的表面相对于第二区域的表面向硅基底内凹入，且相对于第一区域的表面向硅基底内凹入的深度小于3000nm。
主权项：1.一种背接触电池，其特征在于，包括：硅基底、以及交替间隔分布在硅基底背光面一侧的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层；其中，所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层的导电类型相反；在所述硅基底的背光面中，与所述第一掺杂半导体层对应的区域为第一区域，与所述第二掺杂半导体层对应的区域为第二区域，位于所述第一区域和与自身相邻的第二区域之间的区域为间隔区域；所述第二区域的表面相对于所述第一区域的表面向所述硅基底内凹入；所述间隔区域的表面相对于所述第二区域的表面向所述硅基底内凹入、且所述间隔区域的表面相对于所述第一区域的表面向所述硅基底内凹入的深度小于3000nm；所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层靠近所述间隔区域的侧面均呈类波浪形；其中，所述第二掺杂半导体层靠近所述间隔区域的侧面对应的波动幅度大于所述第一掺杂半导体层靠近所述间隔区域的侧面对应的波动幅度，和或，所述第二掺杂半导体层靠近所述间隔区域的侧面对应的波动频率小于所述第一掺杂半导体层靠近所述间隔区域的侧面对应的波动频率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 隆基绿能科技股份有限公司 一种背接触电池及其制造方法
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