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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2019-10-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN112970109B
主分类号：H10B80/00
分类号：H10B80/00;H01L23/48;G01R31/28
优先权：["20181108 US 16/183,961"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.15#公开
摘要：本发明描述一种设备，其包含用于使经堆叠芯片互连的贯穿衬底通孔TSV。根据实施例的所述设备包含：多个第一选择线，其各自在第一方向上延伸；多个第二选择线，其各自在第二方向上延伸以与所述多个第一选择线交叉；及多个TSV单元，其分别经安置于所述多个第一选择线与所述多个第二选择线的相交点中。所述多个TSV单元的每一TSV单元包含：TSV；开关，其经耦合到所述TSV；及选择电路。所述选择电路经配置以响应于所述多个第一选择线中的相关联者及所述多个第二选择线中的相关联者中的每一者被设置为作用电平而控制所述开关的开关状态。
主权项：1.一种存储器装置，其包括：多个第一选择线，其各自在第一方向上延伸；多个第二选择线，其各自在第二方向上延伸以与所述多个第一选择线交叉；及多个贯穿衬底通孔TSV单元，其分别经安置于所述多个第一选择线与所述多个第二选择线的相交点中；其中所述多个TSV单元的每一TSV单元包括：TSV；开关，其经耦合到所述TSV；及选择电路，其经耦合到所述多个第一选择线中的相关联者及所述多个第二选择线中的相关联者，所述选择电路经配置以响应于所述多个第一选择线中的所述相关联者及所述多个第二选择线中的所述相关联者中的每一者被设置为作用电平而控制所述开关的开关状态，其中所述选择电路进一步经配置以响应于所述多个第一选择线中的所述相关联者及所述多个第二选择线中的所述相关联者中的至少一者被设置为非作用电平而导致所述开关形成所述TSV与信号线之间的第一导电路径，所述选择电路进一步经配置以响应于所述多个第一选择线中的所述相关联者及所述多个第二选择线中的所述相关联者中的每一者被设置为所述作用电平而导致所述开关形成相邻TSV单元与所述信号线之间的第二导电路径。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 TSV冗余及TSV测试选择方案
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