申请/专利权人：浙江集迈科微电子有限公司

申请日：2021-03-23

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN113078131B

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;C25D7/12;H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2021.07.23#实质审查的生效;2021.07.06#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种TSV结构及TSV电镀工艺。本发明的TSV结构包括硅片，所述硅片上设置有通孔，所述通孔内电镀填充有TSV金属，所述TSV金属露头部分与硅片的上表面和下表面齐平，所述硅片的表面沉积有钝化层，所述硅片两侧的钝化层上设置有种子层，所述钝化层为绝缘层或氧化层。本发明在硅片和载片的表面制作种子层，然后把硅片和载片临时键合在一起，通过在硅片边缘种子层表面施加电流的方式使电流直接通到TSV盲孔的底部，实现电镀从底部开始的目的，由于TSV盲孔所在区域的硅片侧壁和开口区域只设置钝化层，不设置种子层，在电镀TSV金属的过程中不会出现开口封闭的问题，可以使用更大的电流实现更深TSV孔的电镀，从而提高电镀效率。

主权项：1.一种TSV结构，包括硅片（101），其特征在于，所述硅片（101）上设置有通孔，所述通孔内电镀填充有TSV金属（108），所述TSV金属（108）露头部分与硅片（101）的上表面和下表面齐平，所述硅片（101）的表面沉积有钝化层（103），所述硅片（101）两侧的钝化层（103）上设置有种子层（104），所述钝化层（103）为绝缘层或氧化层；所述TSV结构的电镀工艺，包括以下步骤：A：在硅片（101）表面制作TSV盲孔（102），在硅片（101）表面沉积钝化层（103）；B：在硅片（101）上表面的钝化层（103）上沉积种子层（104），把带有TSV盲孔（102）的硅片（101）与带有种子层（104）的载片（105）键合，在TSV盲孔（102）中电镀TSV金属（108）；C：减薄TSV盲孔（102）开口端种子层（104），去除载片（105），抛光使硅片表面种子层（104）去除，只留下TSV金属（108），去除边缘金属，最终得到上下联通的TSV结构；所述TSV盲孔（102）的直径为1-1000μm，深度为200-1000μm；步骤A中在硅片（101）表面沉积钝化层（103）后，减薄硅片（101）背面，使TSV盲孔（102）露出，在硅片（101）背面沉积钝化层（103）；步骤B中所述硅片（101）的上表面与带有种子层（104）的载片（105）键合，其后减薄硅片（101）背面，使TSV盲孔（102）露出，在硅片（101）背面沉积钝化层（103）后在硅片（101）的表面沉积种子层（104），并在TSV盲孔（102）中电镀TSV金属（108）；步骤B中所述TSV盲孔（102）所在区域的硅片（101）侧壁和开口区域为钝化层（103）。

全文数据：

权利要求：

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