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申请/专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日：2015-06-17
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN111816559B
主分类号：H01L21/3065
分类号：H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/02;C09K13/00;C09K13/08
优先权：["20140618 US 62/013,959"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开
摘要：本发明涉及一种以类似速率蚀刻具有不同纵横比的孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板，形成经蚀刻的含硅基板，该经蚀刻的含硅基板包括具有一种宽度的孔和具有不相同的宽度的孔；b.通过等离子体处理不饱和含氢聚合物沉积流体来产生CaHbFc物种，这些物种的总量的大约50％至大约100％具有大于1:2的C:F比率，其中a＝1或2，b＝1或2且c＝1至3，从而在所述经蚀刻的含硅基板上沉积聚合物膜；c.重复步骤a和b以产生经蚀刻和聚合物沉积的含硅基板，其包括具有高纵横比的孔和具有低纵横比的孔。
主权项：1.一种以类似速率蚀刻具有不同纵横比的孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板，形成经蚀刻的含硅基板，该经蚀刻的含硅基板包括具有一种宽度的孔和具有不相同的宽度的孔；b.通过等离子体处理不饱和含氢聚合物沉积流体来产生CaHbFc物种，这些物种的总量的50％至100％具有大于1:2的C:F比率，其中a＝1或2，b＝1或2且c＝1至3，从而在所述经蚀刻的含硅基板上沉积聚合物膜，其中所述不饱和含氢聚合物沉积流体具有式CxHyFz，其中1≤x7，1≤y≤13且1≤z≤13；c.重复步骤a和b以产生经蚀刻和聚合物沉积的含硅基板，其包括具有高纵横比的孔和具有低纵横比的孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于TSV/MEMS/功率器件蚀刻的化学物质
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