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申请/专利权人：无锡学院
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251118A
主分类号：H10N70/20
分类号：H10N70/20;H10N70/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种痛觉神经形态器件及其制备方法，所述器件包括SiO2Si衬底，所述SiO2Si衬底上生长有Si3N4层作为电子隧穿层，所述Si3N4层上制备有二维有机半导体层，所述二维有机半导体层上构建有两片金属电极。本发明采用全新的机制，将Si3N4作为电子隧穿层插入到半导体SiO2界面中，通过电子隧穿机制来控制电子到达SiO2界面被捕获的过程，在低强度的脉冲刺激下，实现低阈值突触行为，随着脉冲强度的增加或者脉冲数量的持续，Si3N4会发生隧穿模式的转变，从而实现高阈值突触行为，利用这种方式来模拟特定阈值以上的痛觉感受器，进而灵活简便地调控痛觉神经形态器件的痛觉程度。
主权项：1.一种痛觉神经形态器件，其特征在于，包括SiO2Si衬底，所述SiO2Si衬底上生长有Si3N4层作为电子隧穿层，所述Si3N4层上制备有二维有机半导体层，所述二维有机半导体层上构建有两片金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡学院 一种痛觉神经形态器件及其制备方法
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