申请/专利权人：江苏东海半导体股份有限公司

申请日：2024-05-24

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN118248724A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.25#公开

摘要：本申请涉及一种车规级大功率IGBT器件及其制备工艺，包括N‑型漂移区；第一外延P‑型基区通过P‑型掺杂外延生长形成；第二外延P型基区从第一外延P‑型基区的正面通过P型掺杂外延生长形成；沟槽栅从第二外延P型基区的正面向下延伸依次贯穿第二外延P型基区和第一外延P‑型基区，沟槽栅的底端与N‑型漂移区接触；N+型源注入区形成于沟槽栅顶部两侧的第二外延P型基区中；相邻两个沟槽栅之间形成P+型调节区，P+型调节区向下延伸贯穿第二外延P型基区和第一外延P‑型基区后与N‑型漂移区的正面接触；N型侧注入区形成于沟槽栅底端的两侧且横向向下延伸。制备工艺用于制备上述IGBT器件。

主权项：1.一种车规级大功率IGBT器件，其特征在于，所述车规级大功率IGBT器件包括：衬底层，所述衬底层的背面形成P+型漏注入区，剩余的衬底层形成N-型漂移区；第一外延P-型基区，所述第一外延P-型基区从所述衬底层的正面通过P-型掺杂外延生长形成；第二外延P型基区，所述第二外延P型基区从所述第一外延P-型基区的正面通过P型掺杂外延生长形成；沟槽栅，所述沟槽栅从所述第二外延P型基区的正面向下延伸依次贯穿第二外延P型基区和第一外延P-型基区，所述沟槽栅的底端与所述N-型漂移区接触；N+型源注入区，所述N+型源注入区形成于所述沟槽栅顶部两侧的第二外延P型基区中；相邻两个所述沟槽栅之间形成P+型调节区，所述P+型调节区位于相邻两个N+型源注入区之间的第二外延P型基区中，所述P+型调节区向下延伸贯穿第二外延P型基区和第一外延P-型基区后与N-型漂移区的正面接触；N型侧注入区，所述N型侧注入区形成于所述沟槽栅底端的两侧且横向向下延伸覆盖位于所述沟槽栅底端两侧的第一外延P-型基区并伸入N-型漂移区中；所述IGBT器件处于正向导通模式时，所述N型侧注入区与周围的P型区形成横向向下延伸的PN耗尽区，连接在所述N型侧注入区与所述P+型调节区之间的第一外延P-型基区用于调节PN耗尽区的横向延伸范围，使得所述相邻两个PN耗尽区的最远边界之间形成间隔，所述间隔向上连接所述P+型调节区，空穴通过所述间隔流向所述P+型调节区；其中，所述周围的P型区包括位于所述N型侧注入区周围的第一外延P-型基区、第二外延P型基区和P+型调节区。

全文数据：

权利要求：

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