申请/专利权人：信越半导体株式会社

申请日：2022-10-13

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN118251751A

主分类号：H01L21/304

分类号：H01L21/304;H01L21/66

优先权：["20211116 JP 2021-186095"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.25#公开

摘要：本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其具备：改变SC1清洗条件来进行清洗，制作表面粗糙度不同的晶圆的试验用晶圆的SC1清洗工序；通过氢氟酸清洗，去除因SC1清洗形成的SC1氧化膜的工序；使用具有氧化力的清洗液进行清洗，形成自然氧化膜的工序；取得因SC1清洗形成的表面粗糙度与自然氧化膜的膜厚的相关关系的工序；针对自然氧化膜形成对象的晶圆，根据欲形成的自然氧化膜的膜厚与相关关系来决定表面粗糙度，并且决定形成该表面粗糙度的SC1清洗条件的工序；利用所决定的SC1清洗条件，进行SC1清洗的工序；将因SC1清洗形成的SC1氧化膜去除的工序；及使用具有氧化力的清洗液，对已去除SC1氧化膜的晶圆进行清洗，形成自然氧化膜的工序。由此，提供一种调整表面粗糙度来精度良好且再现性良好地控制自然氧化膜的膜厚的硅晶圆的清洗方法。

主权项：1.一种硅晶圆的清洗方法，其特征在于，通过具备下述工序，由此控制通过清洗形成的硅晶圆的自然氧化膜的膜厚，所述工序为：试验用硅晶圆的SC1清洗工序，其中，预先准备多个试验用硅晶圆，改变SC1清洗条件来进行所述试验用硅晶圆的SC1清洗，由此制作表面粗糙度不同的多种水平的所述试验用硅晶圆；所述试验用硅晶圆的SC1氧化膜去除工序，其中，通过氢氟酸清洗，完全去除所述试验用硅晶圆的SC1清洗工序中形成的SC1氧化膜；所述试验用硅晶圆的自然氧化膜形成工序，其中，使用具有氧化力的清洗液，对已去除所述SC1氧化膜的所述试验用硅晶圆进行清洗，形成自然氧化膜；相关关系取得工序，其中，取得所述试验用硅晶圆的因所述SC1清洗形成的表面粗糙度与所述试验用硅晶圆的自然氧化膜形成工序中形成的自然氧化膜的膜厚的相关关系；SC1清洗条件决定工序，其中，针对自然氧化膜形成对象的硅晶圆，以使通过使用所述具有氧化力的清洗液进行清洗而形成的自然氧化膜的膜厚成为规定厚度的方式，基于所述相关关系取得工序中取得的所述相关关系，决定欲形成于所述自然氧化膜形成对象的硅晶圆的表面粗糙度，并且决定形成所决定的所述表面粗糙度的SC1清洗条件；所述自然氧化膜形成对象的硅晶圆的SC1清洗工序，其中，利用所述SC1清洗条件决定工序中决定的所述SC1清洗条件，进行所述自然氧化膜形成对象的硅晶圆的SC1清洗；所述自然氧化膜形成对象的硅晶圆的SC1氧化膜去除工序，其中，对所述SC1清洗工序后的所述自然氧化膜形成对象的硅晶圆进行氢氟酸清洗，完全去除通过所述SC1清洗形成的SC1氧化膜；及所述自然氧化膜形成对象的硅晶圆的氧化膜形成工序，其中，使用所述具有氧化力的清洗液，对已去除所述SC1氧化膜的所述自然氧化膜形成对象的硅晶圆进行清洗，形成自然氧化膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信越半导体株式会社 硅晶圆的清洗方法及带自然氧化膜的硅晶圆的制造方法

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