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基于芯片功耗模拟温升的方法和装置 

申请/专利权人:鼎道智芯(上海)半导体有限公司

申请日:2024-05-28

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118246255A

主分类号:G06F30/20

分类号:G06F30/20;G06F30/27;G06F119/08

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本申请提供了一种基于芯片功耗模拟温升的方法和装置,涉及信息处理领域,该方法包括:获得待处理的若干连续测试周期的若干功耗测试值;按照测试周期的时间顺序,将所述若干功耗测试值划分为至少两组功耗测试值集合,任意功耗测试值集合内各个功耗测试值的时间连续;依据预设时均化规则,对于所述至少两组功耗测试值集合分别进行时均化处理,得到至少两个时间区间对应的时均功耗测试值;根据所述至少两个时间区间对应的时均功耗测试值进行温升仿真,得到温升仿真结果。

主权项:1.一种基于芯片功耗模拟温升的方法,包括:获得待处理的若干连续测试周期的若干功耗测试值;按照测试周期的时间顺序,将所述若干功耗测试值划分为至少两组功耗测试值集合,任意功耗测试值集合内各个功耗测试值的时间连续;依据预设时均化规则,对于所述至少两组功耗测试值集合分别进行时均化处理,得到至少两个时间区间对应的时均功耗测试值;根据所述至少两个时间区间对应的时均功耗测试值进行温升仿真,得到温升仿真结果。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 鼎道智芯(上海)半导体有限公司 基于芯片功耗模拟温升的方法和装置

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